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4 4
3 3
2 2
1 1
MCU PWB (MEMORY SECTION) 3/9
R138
OPEN
21
C174
22u/16V
12
+
C176
0.1u
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R137
10kJ
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C183
0.1u
12
IC110
SDRAM (16bit x 4bank)
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OPEN
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OPEN
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IC111
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NC
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NC
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GND
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BYTE
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CE
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WE
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15
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OPEN
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RDZ
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A9
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HWRZ
D12
D12
D1
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D9
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VCC3
VCC3
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VCC3
VCC3
VCC3
/CS0
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DQM0
DQM1
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SDCKE
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/HWR
A[19..0]
RY/BY
CPUNRST
(1-C1)
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(2-D3)
(2-D3)
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(2-D4)
(2-D4)
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(2-D4)
(2-D4)
(2-D4)
(2-D4)
12/13/14 CPM
Model
64Mb(1Mx16bitx4bank)
SDRAM
Vendor/Type
HY57V641620HGT-P(Hyndai)
MT48LC4M16A2TG-75(Micron)
K4S641632F-TC75(Samsung)
W986416DH-7(Winbond)
15CPM 128Mb(2Mx16bitx4bank) MT48LC8M16A2TG-75(Micron)
HY57V281620AT(Hyndai)
K4S281632D-TC75(Samsung)
W981216BH-75(Winbond)
(1-A2)
(1-B3)
(1-B3)
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(1-B1)