PBLS4004D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 6 January 2009 8 of 15
NXP Semiconductors
PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. TR1 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR1 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. TR1 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 8. TR1 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aaa465
400
800
1200
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(3)
(1)
006aaa469
−0.8
−1.6
−2.4
I
C
(A)
0
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
I
B
(mA) = −24
−2.4
−4.8
−7.2
−12
−14.4
−9.6
−16.8
−19.2
−21.6
006aaa467
−0.6
−0.4
−0.8
−1.0
V
BE
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(1)
(2)
006aaa468
−0.5
−0.9
−1.3
V
BEsat
(V)
−0.1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(3)
(1)