PBLS4004D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 6 January 2009 9 of 15
NXP Semiconductors
PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 9. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 10. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 11. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
Fig 12. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
006aaa466
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(3)
(1)
(2)
006aaa471
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−2
−10
−1
−1
−10
V
CEsat
(V)
−10
−3
(3)
(2)
(1)
006aaa470
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(3)
(1)
(2)
006aaa472
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(3)
(2)
(1)