Filter
Top Products
3
第 1 章 概要
表 1.1 FRAM と他メモリの特長比較
2T/2C: 2 トランジスタ /2 キャパシタ
1T/1C: 1 トランジスタ /1 キャパシタ
6T/4C: 6 トランジスタ /4 キャパシタ
1T: 1 トランジスタ
2T: 2 トランジスタ
6T: 6 トランジスタ
4T+2R: 4 トランジスタ＋ 2 負荷素子
*1 : FRAM - 書換え回数 : 読出しの場合は , 破壊読出しになるため , 読出しと再書込みの合計回数。
*2 : Flash Memory - 書換えサイクル : チップ内部でのプリプログラミング時間を除く。
*3 : EPROM - 紫外線消去 : 2537 Å の紫外線 , 照射量 −10 ～ 15 Ws/cm
2
, 15 ～ 20 分
*4 : バッテリバックアップタイプ SRAM を前提とした時間。
項目
FRAM
2T/2C,
1T/1C
型
FRAM
SRAM
型
EEPROM
Flash
Memory
EPROM MASK ROM DRAM SRAM
データ保持 不揮発 不揮発 不揮発 不揮発 不揮発 不揮発 揮発 揮発
データ保持期間 10 年 10 年 10 年 10 年 10 年 無限大
−
1 年
（電池駆動）
セル構成
2T/2C,
1T/1C
6T4C 2T 1T 1T 1T 1T/1C
6T
4T+2R
読出し時間
110 ns
SRAM と
同等
200 ns <120 ns <150 ns <120 ns 70 ns
70 ～ 85 ns
*
4
書込み電圧
3.3 V 3.3 V
20 V
( 内部昇圧 )
12 V
( 内部昇圧 )
12 V
( 内部昇圧 )
不要
3.3 V 3.3 V
データの
書換え
方法 重ね書き 重ね書き
消去あるい
は書込み
消去あるい
は書込み
書込みと
紫外線消
去の組み
合わせ
不可
(
工程書込み）
重ね書き 重ね書き
サイ
クル
180 ns
SRAM と
同等
10 ms
(
バイト単位）
1 s *
2
(
セクタ単位）
書込み *
3
− 70 ns
70 ～ 85 ns
データの消去動作 不要 不要
必要
（バイト消去）
必要
（セクタ消去）
必要
（紫外線消去）
0.5 ms
(
バイト単位）
不可 不要
書換え回数
PZT:10
8
～ 10
12
SBT:>10
12
*
1
無限大
100,000 100,000 100
不可 無限大 無限大
データ保持電流 不要 不要 不要 不要 不要 不要 必要 必要
待機時電流
5 μA
SRAM と
同等
20 μA 5 μA 100 μA 30 μA 1000 μA 7 μA
読出し動作時電流
4 mA
SRAM と
同等
5 mA 12 mA 40 mA 40 mA 80 mA 40 mA
書込み動作時電流
4 mA
SRAM と
同等
8 mA 35 mA 40 mA − 80 mA 40 mA