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S.ILICO.N
GATE MOS ROM
8316A
TYPICAL D.C. CHARACTERISTICS
ACCESS
TIME
VS.
AMBIENT
TEMPERATURE
V,N
LIMITS
VS.
TEMPERATURE
50
60
70
10
20
TYPICAL
1.8
r----,r----r--.,r---r---.,r---r--_
1.6
t----1t-----t----1t---t---I----f------f
VCC:;;:
5.0V
1.2
t---t---l--t---t--------"t---t-------4
1.0
1ooo.---'1-----1_---'I--_"--_"--_.&...._--1
o
en
t-
-l
~
1.4
t---t------t--t---t---t---t----f
z
->
80
60
20
200
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400
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600
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800
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900
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OUTPUT
SINK
CURRENT
VS.
OUTPUT
VOLTAGE
OUTPUT
SOURCE
CURRENT
VS.
OUTPUT
VOLTAGE
3
30
25
20
<'
E 15
-l
9
10
o
v
~
I--
./
/
V TYPICAL
V
/
jV
TA
=25°C
VCCMIN
I
/
-30
-25
-20
<'
E
-15
~
9
-10
-5
\
\
~
\
TYPICAL
~
\
TA
=25°C
I\..VCC
MIN
~
~
VOL
(VOLTS)
VOH (VOLTS)
ACCESS
T"ME
VS.
LOAD
CAPACITANCE
STATIC
'CC VS.
AMBIENT
TEMPERATURE
WORST CASE
80
6020
O~-------I---------
80
I-----+---~!-----+------I
6Oi------+----t-----t-------t
100
-------
.........
~---------.
500
400
WORST
CASE
200 300
CLOAO (pfd)
100
o
TYPICAL
600
I------+-----+----+----+-----t
800
I-----+----+----t----t-----t
4OO1-----fl-=:;;.----+----t----t-----t
200
I-----+----I------t----t-----t
1000
---....--~--...,.--~~-......,
5-64