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SILICON GATE MOS
81078·4
Typical
Characteristics
Fig. 1.
100
AV
VS.
TEMPERATURE
Fig. 2.
TYPICAL
100
AVERAGE
VS. CYCLE
TIME
t
CE
=300ns
---f'~-t--""'~_t__-___t_-__1
I I
tCE = 230n5
O~-
.........
---....---'O""--------..--
...........
-----I
o 200 400 600 800 1000 1200 1400
13
t----+----+--I'---;----t-....-.....;;;-.....-----I
V
oo
::z
12.6V
Vee
=
-4.75V
V
CC
=5.25V
39
1-----4---+-.....-....::IIlr-+-----I1--
V
1HC
= 13.6V
T
A
=25°C
~
!
> 26
<t
o
.E
70
50
25 .
2.0
.-------.-------...------,
1.751--------4------+-----;
0
w
1.25
N
:::i
<t
:l:
IX:
1.0
0
Z
0.75
>
~
1.51----------+-----
-+-----_1
_0
T
CY
(n51
40
35
30
25
20
15
O----....--""""'----"'-----.a.--
.........
--
10
Fig. 4.
TYPICAL
V,L
MAX
VS.
CE
RISE
TIME
1.8----,..--.....---......----,..--.....--
___
1.4
fllr------+----+---+----+----+------I
1.61------+---+---+-----+---+------1
1.2
1
1.0
X
<{
0.8
:E
.J
0.6
0.4
0.2
Fig.3.
1002
VS.
TEMPERATURE
2.0
1.75
N
°
1.5
_0
0
w
N
1.25
~
<{
:l:
a:
1.0
0
z
0.75
0.5
0
25
50 70
Fig. 5.
TYPICAL
IOH
VS. VOH
Fig. 6.
TYPICAL
IOl
VS.
VOL
-40
t---~f-----+-----+-
-30
~
!
~
-20
_0
-10
0------------'----""""'-'---01---
.............
o
40
r----"T"'"""----r----
__
--~--.....,
30
t----+-----t-----+------+:.;'~-_I
~
! 20
t----+-----+-------7fIII-:-....L
..I
_0
10
1'---+-~____:IfII'9---.-_+_--_t_--_I
V
OH
(volts)
VOL
(volts)
Fig. 7.
TYPICAL
REFRESH VS. TEMPERATURE
Fig. 8.
TYPICAL
ACCESS
TIME
VS. TEMPERATURE
~
~,
C'-i<
70
25
100~--..L-_-..L-_----~--
.....
300r----"T"'"""---~-----r---_
250
.
.E
(J
200
(J
~~
150
70
25
.1
1000
100
i
10
II..
W
~
T
A
I
C)
5-87